[发明专利]一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法

摘要

本发明属于半导体光电子器件领域，公开了一种半导体薄膜光电探测器及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：(1)配制用于生长硫属化合物光敏半导体薄膜的前体溶液，将洁净的衬底浸入前体溶液中进行一次化学浴沉积，对应得到20‑500nm厚的薄膜，利用仅一次化学浴沉积或重复多次化学浴沉积生长得到厚度达到目标要求的硫属化合物光敏半导体薄膜；(2)将衬底进行整体退火敏化处理；制作电极即可得到半导体薄膜光电探测器。本发明通过对制备方法整体流程工艺设计、以及关键化学浴沉积的参数条件等进行改进，能够解决现有半导体薄膜光电探测器制备条件复杂、大规模生产成本高昂、工艺可靠性低和难以实现柔性化的问题。

主权项

1.一种半导体薄膜光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)配制用于生长硫属化合物光敏半导体薄膜的前体溶液，该前体溶液呈碱性环境，其中包括金属阳离子源物质、以及含有S元素或Se元素的硫源物质或硒源物质；所述金属阳离子源物质具体为含金属阳离子的醋酸盐、硝酸盐、盐酸盐或硫酸盐；所述硫源物质具体为含S元素的单质、无机化合物或有机化合物，所述硒源物质具体为含Se元素的单质、无机化合物或有机化合物；接着，将洁净的衬底浸入所述前体溶液中，在0℃‑200℃的温度条件下反应5min‑24h，进行一次化学浴沉积，得到与一次化学沉积过程相对应的20‑500nm厚的薄膜；根据预先设定的薄膜厚度目标要求，判断是否重复进行化学浴沉积，如果需要重复进行化学浴沉积，则在将上一次沉积结束得到的衬底浸入前体溶液中，再次进行化学浴沉积以重复多次化学浴沉积，从而利用仅一次化学浴沉积或重复多次化学浴沉积生长得到厚度达到目标要求的硫属化合物光敏半导体薄膜；(2)将所述步骤(1)得到的生长有硫属化合物光敏半导体薄膜的衬底进行整体退火敏化处理；然后，在光敏半导体薄膜上制作电极即可得到半导体薄膜光电探测器。