[发明专利]一种离子注入方法及实现其的离子注入机在审
| 申请号： | 201910487944.9 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110176394A | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 赖朝荣;裴雷洪 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种离子注入方法及实现上述离子注入方法的离子注入机。上述离子注入方法包括：提供注入到晶圆的点状离子束流；控制上述晶圆在第一方向上来回移动；控制上述点状离子束流在垂直于第一方向的第二方向上来回扫描；以及基于上述点状离子束流当前扫描的晶圆部分在第二方向上的宽度调整上述点状离子束流在第二方向上的扫描宽度。根据本发明所提供的离子注入方法通过改变离子束流的扫描宽度调整离子束流的扫描路径，从而使束流扫描区域贴合于晶圆，大大减少了离子束流的浪费，提高了有效离子束流量，在不提高实际离子束流的情况下，提高了产能。 | ||
| 搜索关键词： | 离子束流 离子 点状 晶圆 扫描 离子注入机 宽度调整 扫描路径 扫描区域 有效离子 产能 束流 贴合 垂直 移动 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入方法，其特征在于：包括：提供注入到晶圆的点状离子束流；控制所述晶圆在第一方向上来回移动；控制所述点状离子束流在垂直于第一方向的第二方向上来回扫描；以及基于所述点状离子束流当前扫描的晶圆部分在第二方向上的宽度调整所述点状离子束流在第二方向上的扫描宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910487944.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
