[发明专利]量子点光刻胶、由其获得的量子点发光层、包含该量子点发光层的QLED及其制备和应用有效
| 申请号： | 201910485642.8 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN112051709B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 邹应全;肖正君;辛阳阳 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/038;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张振军;刘金辉 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种适于光刻制备具有纳米级厚度的量子点发光层的量子点光刻胶，该光刻胶包含光刻胶母液、具有硫醇表面配体的量子点以及载流子传输材料。该光刻胶图案化后可获得具有纳米级别厚度的量子点发光层，从而可应用于QLED。本发明还涉及由本发明量子点光刻胶获得的量子点发光层。该发光层的厚度通常小于100nm，适合制备QLED。本发明还涉及所述量子点发光层的制备，包含本发明量子点发光层的QLED以及包含本发明量子点发光层或本发明QLED的发光装置、照明装置和显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 光刻 获得 发光 包含 qled 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京师范大学，未经北京师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910485642.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
