[发明专利]高速缓存缓冲器以及具有其的半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201910484861.4 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110838334B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李康悦;蔡炅敏 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44;G11C17/08;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高速缓存缓冲器以及具有其的半导体存储器装置。一种联接到页缓冲器的高速缓存缓冲器包括：与存储器单元阵列的第一区域和第二区域对应的第一高速缓存组和第二高速缓存组；选择器，其联接到第一和第二高速缓存组；以及输入/输出I/O控制器，其联接到选择器并且被配置为将数据输出到第一和第二高速缓存组，或者接收从第一和第二高速缓存组输入的数据。所述选择器：通过将经由第一数据线接收的数据传送至第一高速缓存组并将经由第二数据线接收的数据传送至第二高速缓存组来执行正常修复操作；通过将经由第一数据线接收的数据传送至第二高速缓存组并将经由第二数据线接收的数据传送至第一高速缓存组来执行交叉修复操作。 | ||
| 搜索关键词： | 高速缓存 缓冲器 以及 具有 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910484861.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
