[发明专利]一种碲锌镉晶片的抛光工艺在审
| 申请号： | 201910484697.7 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110116340A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 潘永志;张明文;陈琳 | 申请（专利权）人： | 湖南大合新材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B37/10;B24B37/30;B24B57/02 |
| 代理公司： | 衡阳雁城专利代理事务所(普通合伙) 43231 | 代理人： | 邹强 |
| 地址： | 421000 湖南省衡阳市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种碲锌镉晶片的抛光工艺，包括以下步骤：研磨：选用磨砂膨化玻璃盘对碲锌镉晶体进行研磨；铣磨：铣磨机的磨轮旋转并去除晶片的表面损伤层，控制去除量为80μm‑150μm，表面粗糙度≤20nm，铣磨过程中在晶片和磨轮之间喷淋冷却水，加工完成后传递至抛光工序；化学机械抛光：将承载盘表面设置为由盘中间向盘圆周逐渐降低的倾斜形状，倾斜角度为2±0.5度，将碲锌镉晶片放置在承载盘上，化学机械抛光的过程中加入pH值为9‑11的抛光液，控制研磨头的转速为：3‑20r/min，压力为2‑10N/cm2，去除量为20‑40μm，时间为20‑40min，抛光结束后，抛光液回流并返回抛光液供液系统。该抛光工艺可有效减少晶片划伤、划痕、暗裂且能减小晶片表面粗糙度，具有极为广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 碲锌镉晶片 抛光工艺 抛光液 晶片 去除 化学机械抛光 研磨 承载盘 磨轮 铣磨 表面粗糙度 表面损伤层 碲锌镉晶体 表面设置 供液系统 晶片表面 抛光工序 倾斜形状 有效减少 逐渐降低 抛光 玻璃盘 粗糙度 冷却水 铣磨机 研磨头 划痕 划伤 减小 磨砂 喷淋 膨化 传递 返回 加工 应用 | ||
【主权项】：
1.一种碲锌镉晶片的抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、机械研磨：选用膨化玻璃盘并加工形成带有磨砂面的磨砂膨化玻璃盘，然后对碲锌镉晶体进行研磨；步骤二、铣磨：使用真空吸附机械手将晶片传递到微孔真空吸盘并固定，铣磨机的磨轮旋转并去除晶片的表面损伤层，控制去除量为80μm‑150μm，铣磨过程中在晶片和磨轮之间喷淋冷却水，加工完成后晶片表面粗糙度≤20nm，传递至化学机械抛光工序；步骤三：化学机械抛光：将承载盘表面设置为由盘中间向盘圆周逐渐降低的倾斜形状，倾斜角度为2±0.5度，将碲锌镉晶片放置在承载盘上，通过抛光液供液系统加入pH值为9‑11的碱性抛光液，控制研磨头的转速为：3‑20r/min，压力为2‑10N/cm2，去除量为20‑40μm，时间为20‑40min，研磨头的旋转方向和承载盘的旋转方向相反，抛光结束后，抛光液回流并返回抛光液供液系统。
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