[发明专利]一种SiC MOSFET串联驱动电路有效
| 申请号： | 201910482553.8 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110224690B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王来利;杨成子;于龙洋;朱梦宇;马伟;裴云庆;杨旭 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H03K17/041 | 分类号： | H03K17/041;H03K17/687 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC MOSFET串联驱动电路，第一驱动电源的高压端经高压二极管与加速电容的一端、第一SiC MOSFET管的栅极、驱动电容的一端及第二静态均压电阻的一端相连接，加速电容Csp的另一端与第一静态均压电阻的一端及第一SiC MOSFET管的漏极相连接，第一SiC MOSFET管的源极与第一静态均压电阻的另一端及第二SiC MOSFET管的漏极相连接，第二驱动电源的高压端与驱动电容的另一端及驱动电阻的一端相连接，驱动电阻的另一端与第二SiC MOSFET管的栅极相连接，第一驱动电源的低压端、第二驱动电源的低压端、第二静态均压电阻的另一端及第二SiC MOSFET管的源极均接地，该电路中SiC MOSFET管的栅极侧信号均压控制成本低，且能够实现栅极侧负压驱动，同时驱动的均压效果较好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 串联 驱动 电路 | ||
【主权项】：
1.一种SiC MOSFET串联驱动电路，其特征在于，包括第一驱动电源(G1)、第二驱动电源(G2)、高压二极管(D1)、加速电容(Csp)、第一SiC MOSFET管(Q1)、驱动电容(Cs)、第二静态均压电阻(R2)、第一静态均压电阻(R1)、第二SiC MOSFET管(Q2)及驱动电阻(Rg)；第一驱动电源(G1)的高压端经高压二极管(D1)与加速电容(Csp)的一端、第一SiC MOSFET管(Q1)的栅极、驱动电容(Cs)的一端及第二静态均压电阻(R2)的一端相连接，加速电容(Csp)的另一端与第一静态均压电阻(R1)的一端及第一SiC MOSFET管(Q1)的漏极相连接，第一SiC MOSFET管(Q1)的源极与第一静态均压电阻(R1)的另一端及第二SiC MOSFET管(Q2)的漏极相连接，第二驱动电源(G2)的高压端与驱动电容(Cs)的另一端及驱动电阻(Rg)的一端相连接，驱动电阻(Rg)的另一端与第二SiC MOSFET管(Q2)的栅极相连接，第一驱动电源(G1)的低压端、第二驱动电源(G2)的低压端、第二静态均压电阻(R2)的另一端及第二SiC MOSFET管(Q2)的源极均接地。
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