[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201910481251.9 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN110164956B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 崔庆寅;崔成贤;卓容奭;具本荣;韩在钟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/223;H01L21/8234;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造半导体器件的方法和半导体器件，所述方法包括步骤：形成沿着第一方向延伸的初始鳍式有源图案；形成覆盖初始鳍式有源图案的下部的器件隔离图案；形成沿着第二方向延伸并在初始鳍式有源图案上交叉的栅极结构；形成具有第一区和第二区的鳍式有源图案；利用选择性外延生长工艺在第二区上形成初始杂质掺杂图案；以及利用等离子体掺杂工艺通过注入杂质形成杂质掺杂图案，其中第一区的上表面处于第一水平，第二区的上表面处于低于第一水平的第二水平。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：鳍式有源图案，其从衬底突出并沿着第一方向延伸，所述鳍式有源图案包括具有第一竖直厚度并具有侧壁的第一区和具有第二竖直厚度并具有上表面的第二区，所述第二竖直厚度小于所述第一竖直厚度；图案结构，其在所述鳍式有源图案的所述第一区上交叉，所述图案结构沿着第二方向延伸；以及杂质掺杂图案，其形成在所述第二区的所述上表面上和所述第一区的第一侧壁上，其中，所述杂质掺杂图案在所述第二区的所述上表面处具有第一杂质浓度并且沿着所述第一区的所述第一侧壁具有第二杂质浓度，其中所述第二杂质浓度沿着所述第一侧壁实质上均匀。
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