[发明专利]氮化镓晶体的制造方法在审

专利信息
申请号: 201910467485.8 申请日: 2014-11-27
公开(公告)号: CN110295390A 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 佐藤隆;皿山正二;林昌弘;三好直哉;木村千春;和田纯一 申请(专利权)人: 赛奥科思有限公司
主分类号: C30B9/10 分类号: C30B9/10;C30B9/12;C30B29/40;C30B35/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王利波
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种氮化镓晶体的制造方法,其包括:其中通过将氮溶解在包含镓和钠的混合熔体中以生长氮化镓晶体(5)的生长步骤,以及其中使包含镓和钠的合金(51)与使钠离子化的液体(52)反应从而使钠离子和镓(55)从所述合金(51)分离且回收所分离的镓(55)的回收步骤。
搜索关键词: 氮化镓晶体 钠离子 合金 回收 混合熔体 生长 氮溶解 制造
【主权项】:
1.氮化镓晶体的制造方法,所述方法包括:生长步骤,在反应容器内将氮溶解在包含镓和钠的混合熔体中而使氮化镓晶体生长;分离步骤,将在所述生长步骤中生成且所述生长步骤后残留在所述反应容器内的包含镓和钠的合金浸渍于包含使所述合金中的钠离子化的酸的液体中,在所述液体中,所述合金中的钠与所述酸发生反应,从所述合金中以钠离子的形式分离所述合金中的钠,从而将所述合金分离为钠离子和单质镓;以及收集步骤,对所述分离步骤中分离出的所述单质镓进行收集,其中,在所述生长步骤中再次利用所述收集步骤中收集的所述单质镓而使其它的氮化镓晶体生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛奥科思有限公司,未经赛奥科思有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910467485.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top