[发明专利]芬顿多域超声加工制备微半球凹模阵列方法及装置有效
| 申请号： | 201910462794.6 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110421413B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 赵军;黄金锋;王睿;吕经国 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | B24B1/04 | 分类号： | B24B1/04 |
| 代理公司： | 浙江千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 吴辉辉 |
| 地址： | 310014 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种芬顿多域超声加工制备微半球凹模阵列方法及装置，包括研抛模平台，其变幅杆连接高频可调超声发射装置，变幅杆上装有可拆卸式超硬镀层工具头，导向固定板上加工有光滑通孔，所述氧化铝球体被限制在导向固定板上，导向固定板和碳化硅晶圆片放置于水平工作台上；将研抛液均匀充满导向固定板和碳化硅晶圆片上；超硬镀层复合工具头接收给定的频率和振幅的超声高速振动，撞击氧化铝球体并发射，氧化铝球体高速撞击磨粒后，撞击碳化硅衬底，撞击期间对二氧化硅进行去除，撞击期间芬顿反应和超声加工表现为逐层反应，逐层去除，期间通过超声加工的多域可控法，获得高表面质量的微半球凹模阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 芬顿多域 超声 加工 制备 半球 阵列 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种芬顿多域超声加工制备微半球凹模阵列方法，其特征在于，包括如下步骤，S1、将所述研抛液均匀充满导向固定板和碳化硅晶圆片之间；S2、超硬镀层复合工具头接收给定的频率和振幅的超声高速振动，撞击氧化铝球体，将氧化铝球体发射出去，氧化铝球体高速撞击磨粒后，撞击碳化硅衬底，撞击期间伴随着磨粒对衬底材料的机械冲击、剪切、抛磨、加工液的空化现象对二氧化硅进行去除，撞击期间芬顿反应和超声加工表现为逐层反应，逐层去除；S3、通过超声加工的多域可控法，获得表面粗糙度Sa＝20nm‑40nm的微半球凹模阵列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江工业大学，未经浙江工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910462794.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种小型磁流变平面抛光装置
- 下一篇：一种便于调节遮挡范围的砂轮机及操作方法
