[发明专利]一种晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201910461819.0 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110112216B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张益鸣;刘杰 | 申请（专利权）人： | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 黄章辉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管，由下往上依次包括衬底、绝缘介质层以及金属硅化物层，在所述金属硅化物层上的两端设有有源区，所述有源区延伸至所述衬底，在所述有源区上依次生长出缓冲层和非掺杂GaN层，所述非掺杂GaN层和所述金属硅化物层之间形成高浓二维电子气沟道，所述非掺杂GaN层的表面和所述高浓二维电子气沟道的侧壁上覆盖有异质结构势垒层，所述异质结构势垒层和所述金属硅化物层之间形成栅极导电沟道，在所述异质结构势垒层上和所述金属硅化物层上覆盖有绝缘栅介质层，所述绝缘栅介质层的两端分别设有源极和漏极，所述栅极导电沟道处的所述绝缘栅介质层上设有栅极，本发明还提供的一种晶体管制作方法，使晶体管的栅极不易漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，由下往上依次包括衬底、绝缘介质层以及金属硅化物层，在所述金属硅化物层上的两端设有有源区，所述有源区延伸至所述衬底，在所述有源区上依次生长出缓冲层和非掺杂GaN层，所述非掺杂GaN层和所述金属硅化物层之间形成高浓二位电子气沟道，所述非掺杂GaN层的表面和所述高浓二位电子气沟道的侧壁上覆盖有异质结构势垒层，所述异质结构势垒层和所述金属硅化物层之间形成栅极导电沟道，在所述异质结构势垒层上和所述金属硅化物层上覆盖有绝缘栅介质层，所述绝缘栅介质层的两端分别设有源极和漏极，所述栅极导电沟道处的所述绝缘栅介质层上设有栅极。
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