[发明专利]以Si为基底c轴取向生长Bi4 有效
| 申请号： | 201910460023.3 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110078131B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 段宗范;梅云;赵园欣;赵高扬 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C01G51/00 | 分类号： | C01G51/00;C04B41/89 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 杨洲 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
以Si为基底c轴取向生长Bi |
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| 搜索关键词： | si 基底 取向 生长 bi base sub | ||
【主权项】：
1.以Si为基底c轴取向生长Bi4Ti2.95Co0.05O12多铁薄膜，其特征在于，按重量百分比，包括以下组分：Bi(NO3)2·5H2O7.63％‑19.22％、Co(NO3)2·6H2O0.1％‑0.26％、钛酸丁酯3.5％‑8.88％、乙二醇甲醚80.4％‑50.64％、乙酰丙酮8.3％‑21％。
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