[发明专利]可发白光的GaN型VCSEL芯片及其制备方法

摘要

本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及可发白光的GaN型VCSEL芯片及其制备方法，GaN型VCSEL芯片包括GaN衬底、外延结构和ODR结构，外延结构包括由下至上依次沉积的N‑GaN、量子阱、P‑GaN和InGaN接触层，InGaN接触层划分为中心区域和包围中心区域的外围区域，InGaN接触层表面于外围区域对应的位置生长有SiO₂层，SiO₂层上生长有DBR结构，DBR结构、InGaN接触层、P‑GaN、量子阱被蚀刻至N‑GaN形成台面，DBR结构于外围区域对应的位置生长有P‑contact，且形成有出光孔，出光孔喷涂封装有荧光粉，量子阱、P‑GaN、InGaN接触层、DBR结构和P‑contact外均包覆有SiNx层，SiNx层外侧壁蒸镀有N‑contact，N‑contact生长在台面上。本发明制备得到的VCSEL芯片能够实现在受激发光时通过荧光粉区域射出白光，补充了VCSEL芯片在发射出白光方面的空白。

主权项

1.可发白光的GaN型VCSEL芯片，其特征在于，包括GaN衬底和位于GaN衬底一侧的外延结构，以及位于GaN衬底另一侧的ODR结构，所述外延结构包括由下至上依次沉积的N‑GaN、量子阱、P‑GaN和InGaN接触层，所述InGaN接触层划分为中心区域和包围所述中心区域的外围区域，所述InGaN接触层表面于外围区域对应的位置生长有SiO₂层，所述SiO₂层上生长有DBR结构，所述DBR结构、InGaN接触层、P‑GaN、量子阱被蚀刻至N‑GaN形成台面，所述DBR结构于外围区域对应的位置生长有P‑contact，且形成有出光孔，所述出光孔喷涂封装有荧光粉，所述量子阱、P‑GaN、InGaN接触层、DBR结构和P‑contact外均包覆有SiNx层，所述SiNx层外侧壁蒸镀有N‑contact，所述N‑contact生长在台面上。