[发明专利]肖特基二极管及其制备方法、半导体功率器件在审
| 申请号： | 201910438467.7 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110071177A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 冉军学;魏同波;闫建昌;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种肖特基二极管及其制备方法、半导体功率器件，该肖特基二极管自下而上依次包括：衬底层；第一基材层，其生长在衬底层上，作为后续生长的模板缓冲层；第二基材层，其生长在第一基材层上，用于生长阴极电极；第三基材层，其生长在第二基材层上，作为肖特基二极管的有源区；墨烯层，其设置在第三基材层上；欧姆接触电极，其设置在第二基材层上，形成阴极电极；以及肖特基接触电极，其设置在石墨烯层上，形成阳极电极。本发明制作的肖特基二极管将具有高反向击穿电压和低的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 基材层 肖特基二极管 生长 半导体功率器件 阴极电极 衬底层 制备 反向击穿电压 欧姆接触电极 肖特基接触 导通电阻 石墨烯层 阳极电极 缓冲层 电极 源区 制作 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底层；第一基材层，其生长在衬底层上，作为后续生长的模板缓冲层；第二基材层，其生长在第一基材层上，用于生长阴极电极；第三基材层，其生长在第二基材层上，作为肖特基二极管的有源区；石墨烯层，其设置在第三基材层上；欧姆接触电极，其设置在第二基材层上，形成阴极电极；以及肖特基接触电极，其设置在石墨烯层上，形成阳极电极。
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