[发明专利]基于碱刻蚀技术的光纤马赫-曾德尔干涉仪及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201910438351.3 申请日: 2019-05-24
公开(公告)号: CN110132332B 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 夏云杰;马任德;刘秀浩;万鲁雪;董新永;满忠晓 申请(专利权)人: 曲阜师范大学
主分类号: G01D5/353 分类号: G01D5/353
代理公司: 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 代理人: 卢登涛
地址: 273165 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开一种基于碱刻蚀技术的光纤马赫‑曾德尔干涉仪及其制作方法,属于光纤干涉仪技术领域,在两个单模光纤之间熔接一段大芯径锗芯光纤,经过侧面抛磨,去掉锗芯光纤的一部分包层,利用碱刻蚀锗芯,在锗芯光纤的纤芯中制作一个微腔。从单模光纤入射的光在锗芯光纤处被分成两部分,一部分沿锗芯光纤剩余纤芯传播,另一部分沿形成的微腔传播。这两部分光再次被耦合进入单模光纤时发生干涉,从而构造出在线光纤马赫曾德干涉仪,该干涉仪除了具有高性能之外,还具有低成本、易于制造和能产生规则透射光谱的优点,这种的结构将为实现各种光纤器件提供一个平台。
搜索关键词: 基于 刻蚀 技术 光纤 马赫 曾德尔 干涉仪 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种基于碱刻蚀技术的光纤马赫‑曾德尔干涉仪的制作方法,其特征在于:所述的方法包括以下步骤:S1:在第一单模光纤(1)和第二单模光纤(3)之间熔接锗芯光纤(2),形成两侧为单模光纤,中部为锗芯光纤(2)的整体结构;S2:把制作的步骤S1中的两侧为单模光纤,中部为锗芯光纤(2)的整体结构,利用砂纸进行侧面抛磨,使锗芯光纤(2)的一部分锗芯(4)裸露在外界环境中;S3:把步骤S2中经过侧面抛磨的两侧为单模光纤,中部为锗芯光纤(2)的整体结构浸入碱溶液中,利用碱溶液对锗芯(4)进行刻蚀;S4:经过一段时间后,在经过侧面抛磨的锗芯光纤(2)的锗芯(4)中刻蚀出一个微腔(5);S5:在第一单模光纤(1)中投射入射光,入射光通过第一单模光纤(1)后被分成两部分,一部分沿锗芯光纤(2)中剩余锗芯(4)传播,另一部分沿步骤S4中形成的微腔(5)传播;S6:步骤S5中的两部分光被耦合至第二单模光纤(3),两部分光在第二单模光纤(3)中相遇并发生干涉,形成光纤马赫‑曾德尔干涉仪。
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