[发明专利]晶体管垂直腔面发射激光器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910437330.X | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110011181A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 向宇 | 申请（专利权）人： | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 215024 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管垂直腔面发射激光器，包括按照外延生长的次序依次排布的衬底、下端面分布式布拉格反射镜、集电区、基区、发射区、上端面分布式布拉格反射镜，以及分别与集电区、基区、发射区导通的电极：集电极、基极、发射极；所述基区中设置有量子阱有源区；在基区、发射区、上端面分布式布拉格反射镜上除电极以外的表面区域均包覆有Al2O3保护膜，并且所述上端面分布式布拉格反射镜是由Al2O3膜结构与至少一种其它电介质材料膜结构呈周期性排布所构成的亚波长高对比度光栅。本发明还公开了上述晶体管垂直腔面发射激光器的制备方法。本发明在大幅提高T‑VCSEL器件的可靠性的同时，还降低了器件制造的工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 分布式布拉格反射镜 垂直腔面发射激光器 基区 发射区 上端面 晶体管 电极 集电区 制备 量子阱有源区 电介质材料 周期性排布 高对比度 工艺难度 器件制造 外延生长 光栅 保护膜 发射极 集电极 膜结构 下端面 亚波长 包覆 衬底 导通 排布 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管垂直腔面发射激光器，包括按照外延生长的次序依次排布的衬底、下端面分布式布拉格反射镜、集电区、基区、发射区、上端面分布式布拉格反射镜，以及分别与集电区、基区、发射区导通的电极：集电极、基极、发射极；所述基区中设置有量子阱有源区；其特征在于，在基区、发射区、上端面分布式布拉格反射镜上除电极以外的表面区域均包覆有Al2O3保护膜，并且所述上端面分布式布拉格反射镜是由Al2O3膜结构与至少一种其它电介质材料膜结构呈周期性排布所构成的亚波长高对比度光栅。
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