[发明专利]一种LED外延结构的生长方法在审
| 申请号： | 201910429100.9 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110098290A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 林传强 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 郑隽;吴婷 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED外延结构的生长方法，包括生长氮化镓中温低压缓冲层和三维结构层的过程，具体是：步骤2：生长氮化镓中温低压缓冲层；步骤3：生长三维结构层；所述三维结构层包括由下至上依次生长的类3D薄层、3D厚层和3D愈合层。所述步骤3：生长三维结构层，包括以下步骤：步骤3.1：生长类3D薄层；步骤3.2：生长3D厚层，所述3D厚层为掺杂硅的氮化镓层；步骤3.3：生长3D愈合层。本发明能够有效改善晶格失配，降低位错缺陷，提高LED器件的光输出功率、抗老化能力和抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 三维结构 厚层 氮化镓 缓冲层 薄层 中温 愈合 光输出功率 抗静电能力 氮化镓层 晶格失配 位错缺陷 掺杂硅 抗老化 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构的生长方法，其特征在于，包括生长氮化镓中温低压缓冲层和三维结构层的过程，具体是：步骤2：生长氮化镓中温低压缓冲层；步骤3：生长三维结构层；所述三维结构层包括由下至上依次生长的类3D薄层、3D厚层和3D愈合层。
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