[发明专利]一种低频声波传感器在审

专利信息
申请号: 201910426940.X 申请日: 2019-05-22
公开(公告)号: CN110160625A 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 鲁平;傅鑫;张万金;桂吟秋;刘德明 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G01H9/00 分类号: G01H9/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 曹葆青;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种低频声波传感器,包括:输入光纤、薄膜以及基底单元;基底单元介于薄膜和输入光纤之间;薄膜沉积于基底单元的正面;薄膜的厚度为沉积厚度;薄膜的直径为基底单元背面刻蚀至薄膜下表面的第二刻蚀窗口的直径;基底单元用于控制薄膜的直径;薄膜用于接收低频声波,并与输入光纤构成FP腔体;薄膜与输入光纤的端面距离为FP腔体的腔长,沉积方法为化学气相沉积;基底单元背面刻蚀的方法为反应例子刻蚀;本发明可精密控制薄膜的厚度、薄膜直径以及FP腔体的腔长,因此,低频声波传感器有良好的一致性。同时由于本发明中薄膜具有较小的尺寸,可实现高的谐振频率,在250Hz以下的低频测试频段具有平坦的响应特性。
搜索关键词: 薄膜 基底单元 低频声波 输入光纤 传感器 背面刻蚀 沉积 腔长 化学气相沉积 薄膜沉积 测试频段 端面距离 反应例子 精密控制 刻蚀窗口 响应特性 谐振频率 下表面 刻蚀 平坦
【主权项】:
1.一种低频声波传感器,其特征在于,包括:输入光纤、薄膜以及基底单元;所述基底单元介于薄膜和输入光纤之间;所述薄膜沉积于基底单元的正面;所述薄膜的厚度为沉积厚度;薄膜的直径为基底单元背面刻蚀至薄膜下表面的第二刻蚀窗口的直径;所述基底单元用于控制薄膜的直径;所述薄膜用于接收低频声波,并与输入光纤构成FP腔体;所述薄膜与输入光纤的端面距离为FP腔体的腔长。
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