[发明专利]半导体设备及提高静电吸盘吸附晶圆能力的方法在审
| 申请号： | 201910426711.8 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111987030A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 贾超超;刘佑铭 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体设备及提高静电吸盘吸附晶圆能力的方法，半导体设备包括：静电吸盘，用于吸附晶圆；光源，用于将发射的光线照射于吸附在静电吸盘上的晶圆上，以增大晶圆内载流子的浓度，从而增大静电吸盘对所述晶圆的吸附力。本发明的半导体设备通过设置光源对吸附于静电吸盘上的晶圆进行照射，可以增大晶圆内部的载流子浓度，从而增大静电吸盘与晶圆接触的吸附点的电流，从而增大静电吸盘对晶圆的吸附力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 提高 静电 吸盘 吸附 能力 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
