[发明专利]一种砷化镓多结太阳电池及制作方法

摘要

本发明公开了一种砷化镓多结太阳电池及制作方法，该砷化镓多结太阳电池中，第一隧穿结和所述第二隧穿结的结构相同，通过在n型GaInP层和p型AlGaAs层之间插入一个GaAs薄层，与GaInP层和AlGaAs层相比，GaAs层具有更低的电子有效质量，更高的掺杂效率，因此可以获得更薄的耗尽区宽度和更短的隧穿深度，其相比GaInP层和AlGaAs层更低的带隙也会形成三明治的量子阱结构减少隧穿深度，最终获得更高的峰值隧穿电流密度。此外，GaAs层还可以作为过渡层，有效抑制P原子和掺杂剂向AlGaAs层的扩散，可以获得组分陡峭的界面，改善隧穿结的隧穿电流和热稳定性。

主权项

1.一种砷化镓多结太阳电池，其特征在于，所述砷化镓多结太阳电池包括：衬底；依次设置在所述衬底上的第一子电池、第一隧穿结、DBR反射层、第二子电池、第二隧穿结和第三子电池；其中，所述第一隧穿结和所述第二隧穿结的结构相同，所述第一隧穿结包括在第一方向上依次设置的n型GaInP层、GaAs层和p型AlGaAs层；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述第一子电池。