[发明专利]一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法有效
| 申请号： | 201910411829.3 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110205673B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 顾溢;王红真;张永刚;邵秀梅;李雪;龚海梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/18;C30B25/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法，在失配衬底上覆盖多层石墨烯，放入气态源分子束外延系统生长室中升至高温，将砷烷经过高温裂解后通至生长室维持30分钟，然后降温至生长所需的温度，打开铟和镓束源炉快门，生长InGaAs材料。此生长方法利用了气态源分子束外延的特点，可以不受InGaAs材料与衬底晶格失配的影响，突破衬底的限制。本发明还可以推广到其他的III‑V族砷化物和磷化物失配材料的生长，具有很好的通用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 气态 分子 外延 失配 ingaas 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于气态源分子束外延的大失配InGaAs材料生长方法，其特征在于包括如下步骤：(1)在失配衬底上通过生长或转移的方法覆盖3‑30层石墨烯；(2)将覆盖多层石墨烯的衬底放入气态源分子束外延系统生长室中，衬底温度升至700‑1000℃；(3)将砷烷经过高温裂解后通至生长室，裂解温度范围为900‑1100℃，生长室气压范围为1×10‑5‑5×10‑5Torr，维持30分钟；(4)将衬底温度降温至500‑550℃，打开铟和镓束源炉快门，生长所需要的InGaAs材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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