[发明专利]Micro-LED芯片的转移方法及Micro-LED显示面板有效
| 申请号： | 201910410441.1 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110212079B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 樊勇 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L25/075;H01L21/683 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种Micro‑LED芯片的转移方法及Micro‑LED显示面板，包括：提供一目标基板，所述目标基板的表面设置有多个凹槽结构，在每一所述凹槽结构内形成第一金属电极；提供一种转移头，所述转移头上设置有多个吸头，每一所述吸头的位置与每一所述凹槽结构的位置相对应，将所述转移头通过所述吸头吸取导电胶体；将所述转移头上的每一所述吸头对准与其相对应的所述凹槽结构，释放所述转移头中的所述导电胶体；将多个含有第二金属电极的MicroLED芯片通过转移基板转移至所述目标基板对应的所述凹槽结构上；通过加热方式固化所述导电胶体。 | ||
| 搜索关键词： | micro led 芯片 转移 方法 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种Micro‑LED芯片的转移方法，其特征在于，所述方法包括：S10，提供一目标基板，所述目标基板的表面设置有多个凹槽结构，在每一所述凹槽结构内沉积一层金属膜层，形成第一金属电极；S20，提供一种转移头，所述转移头上设置有多个吸头，每一所述吸头的位置与每一所述凹槽结构的位置相对应，将所述转移头通过所述吸头吸取导电胶体；S30，将所述转移头上的每一所述吸头对准与其相对应的所述凹槽结构，释放所述转移头中的所述导电胶体，使所述导电胶体放置于所述凹槽结构内；S40，将多个含有第二金属电极的MicroLED芯片通过转移基板转移至所述目标基板对应的所述凹槽结构上，使所述第二金属电极与所述导电胶体相接触；S50，通过加热方式固化所述导电胶体，实现所述Micro‑LED芯片与所述目标基板可靠电性连接。
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