[发明专利]隧穿磁电阻传感器的调控方法及系统有效
| 申请号： | 201910406376.5 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110109039B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 崔岩;罗军;杨美音;许静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 钱湾湾;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开一种隧穿磁电阻传感器的调控方法，包括：在所述隧穿磁电阻传感器的底电极和顶电极之间加载电压，所述电压为可调电源提供的可变电压；调整所述底电极和所述顶电极之间的电压值，以调控所述隧穿磁电阻传感器的量程和灵敏度。该方法基于可调电源在所述隧穿磁电阻传感器的底电极和顶电极之间加载电压，通过调整外加的电压值，改变隧穿磁电阻传感器中磁隧道结的界面垂直各向异性的耦合系数，通过该耦合系数可以调整界面垂直各向异性能，进而调整磁隧道结的磁各向异性能，如此导致隧穿磁电阻传感器的灵敏度和线性区被相应地调控，无需额外的补偿电路，降低了磁探测系统整体复杂性。对应地，本申请还公开了隧穿磁电阻传感器的调控系统。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 传感器 调控 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种隧穿磁电阻传感器的调控方法，其特征在于，所述隧穿磁电阻传感器包括衬底、位于所述衬底之上的底电极、磁隧道结、绝缘介质层和顶电极；所述方法包括：在所述隧穿磁电阻传感器的底电极和顶电极之间加载电压，所述电压为可调电源提供的可变电压；调整所述底电极和所述顶电极之间的电压值，以调控所述隧穿磁电阻传感器的量程和灵敏度。
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