[发明专利]阻变随机存取存储器的结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910403390.X | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111952446A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 杨芸;仇圣棻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种阻变随机存取存储器的结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成底部电极；在底部电极上形成阻变层；在所述阻变层上形成顶部电极；在所述顶部电极的顶部表面、顶部电极的侧壁表面和所述阻变层的侧壁表面形成第一保护层。所形成的阻变随机存取存储器性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 随机存取存储器 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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