[发明专利]一种各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法在审
| 申请号： | 201910401898.6 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110137073A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;周娜;傅剑宇;李永亮;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 王胜利 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，该方法包括：进行主刻蚀，含有氧气、碳元素和氟元素的第一混合气体在等离子体形态对底层电路上需要去除的聚酰亚胺层的主要厚度层进行刻蚀，其中，第一混合气体中的碳元素和氟元素的原子个数比大于等于2:1，以保证对聚酰亚胺侧壁的有效保护；进行过刻蚀，含有氧气、碳元素且不含氟元素的第二混合气体在等离子体形态对底层电路上聚酰亚胺层的剩余厚度层进行刻蚀直至聚酰亚胺层刻蚀干净并实现图案化。本发明主刻蚀用高碳氟比的气体进行侧壁保护，有效控制PI层横向钻蚀，减少与设计尺寸偏差，过刻蚀含碳且不含氟，保证侧壁形貌，让刻蚀基本不损伤底部SiN和SiO2，有效保护好结构，扩大刻蚀工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺层 刻蚀 混合气体 碳元素 等离子体形态 各向异性刻蚀 氟元素 过刻蚀 厚度层 图形化 主刻蚀 含氟 氧气 电路 侧壁保护 侧壁形貌 尺寸偏差 聚酰亚胺 刻蚀工艺 有效控制 个数比 图案化 侧壁 高碳 钻蚀 去除 损伤 保证 | ||
【主权项】：
1.一种各向异性刻蚀图形化聚酰亚胺层的方法，其特征在于，所述方法包括：进行主刻蚀，含有氧气、碳元素和氟元素的第一混合气体在等离子体形态对底层电路上需要去除的聚酰亚胺层的主要厚度层进行刻蚀，其中，所述第一混合气体中的所述碳元素和所述氟元素的原子个数比大于等于2:1，以保证对聚酰亚胺侧壁的有效保护；进行过刻蚀，含有氧气、碳元素的第二混合气体在等离子体形态对底层电路上所述聚酰亚胺层的剩余厚度层进行刻蚀直至所述聚酰亚胺层刻蚀干净并实现图案化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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