[发明专利]一种分级管理冗余存储的MRAM芯片有效
| 申请号： | 201910401594.X | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111951845B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C29/18 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 分级管理冗余存储的MRAM芯片包括：当芯片收到读指令时，对应一级和二级纠错控制器均判断读地址是否属于出错地址，是时返回冗余存储区中读地址对应的替换地址中的读数据，否则进行正常读操作；当芯片收到写指令时，对应一级纠错控制器判断写地址是否属于出错或失效地址，在是时判断是否有空闲的寄存器，在有空闲的寄存器时为该写地址分配空闲寄存器，在该空闲的寄存器内添加写地址和对应替换地址，将写数据写入冗余存储区中该写地址对应替换地址中；二级纠错控制器在一级纠错控制器内没有空闲的寄存器时，在寄存器中为该写地址分配空闲寄存器，在该空闲的寄存器内添加写地址和对应替换地址，将写数据写入冗余存储区中该写地址对应替换地址中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分级 管理 冗余 存储 mram 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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