[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
| 申请号: | 201910395828.4 | 申请日: | 2016-02-04 | 
| 公开(公告)号: | CN110010533A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 | 
| 发明(设计)人: | 村元僚;高桥光和 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 | 
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 | 
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 | 
| 地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP | 
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| 摘要: | 本发明提供一种处理基板的基板处理装置以及处理基板的基板处理方法。该基板处理装置的顶板在第一位置由相向构件保持部保持,在第二位置由基板保持部保持,并且与基板保持部一起旋转。就基板处理装置而言,通过控制部控制第一处理液供给部、第二处理液供给部以及喷嘴移动机构,在第一处理液喷嘴位于顶板的被保持部内的供给位置的状态下,经由相向构件开口向基板供给第一处理液,第一处理液喷嘴从供给位置移动至退避位置。然后,第二处理液喷嘴从退避位置移动至供给位置,经由相向构件开口向基板供给第二处理液。这样,与从一个处理液喷嘴依次供给多种处理液的情况相比,能够抑制或者防止产生多种处理液的混合液。 | ||
| 搜索关键词: | 基板处理装置 处理液喷嘴 处理液 供给位置 相向 处理液供给部 基板保持部 处理基板 基板处理 基板供给 退避位置 开口 喷嘴移动机构 被保持部 第二位置 第一位置 混合液 移动 | ||
【主权项】:
                1.一种基板处理装置,用于处理基板,其特征在于,具有:基板保持部,以水平状态保持基板,相向构件,与所述基板的上表面相向,并且在中央部设有相向构件开口,该相向构件具有从所述相向构件开口的周围向上方突出的筒状的被保持部,相向构件保持部,保持所述相向构件的所述被保持部,相向构件升降机构,使所述相向构件在上下方向上的第一位置与第二位置之间相对于所述基板保持部相对移动,处理液喷嘴,位于所述被保持部的内侧,经由所述相向构件开口向所述基板的所述上表面喷出处理液,基板旋转机构,使所述基板与所述基板保持部一起以朝向所述上下方向的中心轴为中心进行旋转,以及相向构件保持部移动机构,使所述相向构件保持部在所述相向构件的上方的保持位置与所述相向构件的周围的退避位置之间移动;所述相向构件在所述第一位置由所述相向构件保持部保持,并且在上方远离所述基板保持部,所述相向构件在所述第二位置由所述基板保持部保持,通过所述基板旋转机构与所述基板保持部一起进行旋转;所述被保持部具有:圆筒状的凸缘连接部,以所述中心轴为中心,以及相向构件凸缘部,从所述凸缘连接部的上端部向径向外方延展;所述相向构件保持部具有:第一凸缘支撑部,从下侧接触支撑位于所述第一位置的所述相向构件的所述相向构件凸缘部的一部分,第二凸缘支撑部,位于隔着所述凸缘连接部的所述第一凸缘支撑部的相反侧,该第二凸缘支撑部从下侧接触支撑位于所述第一位置的所述相向构件的所述相向构件凸缘部的一部分,以及保持部主体,安装有所述第一凸缘支撑部以及所述第二凸缘支撑部;在所述相向构件位于所述第二位置的状态下,通过使所述第一凸缘支撑部以及所述第二凸缘支撑部水平地移动,使所述第一凸缘支撑部以及所述第二凸缘支撑部向径向外方远离所述相向构件凸缘部,并将所述第一凸缘支撑部以及所述第二凸缘支撑部配置于所述相向构件凸缘部的下方。
            
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
                
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