[发明专利]一种能够用于90～60nm半导体制程的ArF光刻胶及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201910388389.4 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110283271B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 邓云祥;袁自强;袁敏民 | 申请（专利权）人： | 珠海雅天科技有限公司 |
| 主分类号： | C08F220/18 | 分类号： | C08F220/18;G03F7/004 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 俞梁清 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市横琴新区环*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够用于90～60nm半导体制程的ArF光刻胶及其制备方法与应用，所述感光性聚合物中含有至少一个能够通过酸水解产生酸性基团的结构单元(a1)和至少一个具有环状基团的结构单元(a2)。所述结构单元(a1)的摩尔占比优选为20～99％。所述感光性聚合物中还含有能形成刚性主链的结构单元(a3)；优选地，所述结构单元(a3)的摩尔占比为1～80％。以该感光性聚合物制备的ArF光刻胶可用于光刻膜的制备中，制得的光刻膜能够同时具备高灵敏度、高对比度及高耐刻蚀能力等多种优良性质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 能够 用于 90 60 nm 半导体 arf 光刻 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种感光性聚合物，其特征在于：所述感光性聚合物中含有至少一个能够通过酸水解产生酸性基团的结构单元(a1)和至少一个具有环状基团的结构单元(a2)及至少一个能形成刚性主链的结构单元(a3)，所述结构单元(a1)的摩尔占比为20～99％。
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