[发明专利]一种基于结构复用的背腔式双频共口径天线有效
| 申请号： | 201910387275.8 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110112579B | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 程钰间;丁嫣然;柏航;夏飞扬;赵凡;刘彦;樊勇;张波;林先其;宋开军;赵明华 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q21/24 | 分类号： | H01Q21/24;H01Q21/06;H01Q13/18;H01Q13/10;H01Q1/52;H01Q1/50;H01Q1/38 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于共口径天线技术领域，具体提供一种基于结构复用的背腔式双频共口径天线，用以克服在频率比小于8的传统双频共口径天线辐射单元分离放置导致的天线口径利用效率较低、天线间隔离度不足等问题。本发明利用高频SIW圆形背腔式辐射器自身的封闭性，使得其构成低频同轴背腔式辐射器的内导体，不额外占用天线口径面积，实现了辐射单元结构的高度融合，极大提高了口径利用效率；并且，利用基片集成波导的高通特性，高、低频天线之间的隔离度得到大大提升，解决了不同频段天线间通道隔离度不足的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 结构 背腔式 双频 口径 天线 | ||
【主权项】：
1.一种基于结构复用的背腔式双频共口径天线，包括：从下往上依次层叠的下层金属覆铜层(15)、介质层(14)及上层金属覆铜层(13)；其特征在于，所述上层金属覆铜层(13)与下层金属覆铜层(15)通过贯穿介质层(14)的金属化过孔进行连接，所述金属化过孔呈圆环状排布；所述下层金属覆铜层(15)、介质层(14)、上层金属覆铜层(13)及位于内圆的金属化通孔(17)共同构成SIW圆形背腔式缝隙天线(1)；所述下层金属覆铜层(15)、介质层(14)、上层金属覆铜层(13)、位于内圆的金属化通孔(17)及位于外圆的金属化通孔(16)共同构成同轴背腔式缝隙天线(2)；所述SIW圆形背腔式缝隙天线(1)与同轴背腔式缝隙天线(2)的辐射缝隙分别开设于上层金属覆铜层(13)上。
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