[发明专利]半导体封装及其制造方法在审
| 申请号： | 201910386158.X | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110473843A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 黄立贤;苏安治;叶德强;曾华伟;林强;叶名世 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/522;H01L23/528;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 康艳青;姚开丽<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括重布线结构。重布线结构包括第一介电层及第一重布线路层。所述第一介电层包含第一通孔开口。所述第一重布线路层设置在第一介电层上且包含填充第一通孔开口的通孔部分以及连接通孔部分且在第一介电层之上延伸的电路部分。通孔部分的上表面与电路部分的上表面之间的最大垂直距离大体上等于或小于0.5μm。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 半导体封装 重布线路层 通孔开口 上表面 重布线 通孔 电路 最大垂直距离 连接通孔 填充 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装，其特征在于，包括：/n经包封半导体装置；以及/n重布线结构，设置在所述经包封半导体装置之上且电连接到所述经包封半导体装置，其中所述重布线结构包括：/n第一介电层，包含第一通孔开口；以及/n第一重布线路层，设置在所述第一介电层上且包含填充所述第一通孔开口的通孔部分及连接所述通孔部分的电路部分，其中所述通孔部分的上表面与所述电路部分的上表面之间的最大垂直距离等于或小于0.5微米。/n
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