[发明专利]微机电系统器件制备方法在审
| 申请号： | 201910383273.1 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111908420A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 胡永刚;周国平;夏长奉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 熊文杰;邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种MEMS器件制备方法，包括：提供衬底，在衬底的正面形成第一牺牲层，在第一牺牲层上形成功能结构；对衬底的背面进行刻蚀形成沟槽，刻蚀停止于第一牺牲层，沟槽相互连通且围合成封闭图形，衬底被沟槽包围的部分作为支撑结构；及刻蚀第一牺牲层，支撑结构随着与支撑结构相接触的第一牺牲层被刻蚀掉而脱落，形成背腔。上述制备方法，在第二步衬底刻蚀过程中仅形成较小面积的沟槽，使得沟槽上方结构承受应力的能力较强，在后续工序中不容易变形或破裂，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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