[发明专利]阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910380046.3 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110112291B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 王琦;杨栋梁;杨慧永;贺德衍 | 申请（专利权）人： | 兰州大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京东方灵盾知识产权代理有限公司 11506 | 代理人： | 苏向银 |
| 地址： | 730000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括底电极、顶电极和设置在所述底电极和顶电极之间的阻变层，所述阻变层由聚乙烯亚胺制备而成。本申请采用聚乙烯亚胺制备阻变存储器中阻变层的方式，通过将聚乙烯亚胺制备阻变层与顶电极和底电极形成阻变存储器，达到了兼顾阻变存储器的耐高温和柔性的目的，从而实现了该阻变存储器能够在150℃下仍表现出良好的阻变性能，且成本低廉，制备方法简单易操作的技术效果，进而解决了由于现有的阻变存储器无法兼顾耐高温性能和柔性所导致的制约其在柔性电子器件和透光性器件中应用和发展的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器，包括底电极、顶电极和设置在所述底电极和顶电极之间的阻变层，其特征在于，所述阻变层由聚乙烯亚胺制备而成。
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