[发明专利]一种氮化镓功率器件驱动系统在审

专利信息
申请号: 201910378095.3 申请日: 2019-05-08
公开(公告)号: CN110224688A 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 于生宝;许佳男;宋树超;张嘉霖;房钰 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: H03K3/011 分类号: H03K3/011;H03K3/017;H03K3/57
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 王淑秋
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及一种氮化镓功率器件驱动系统,该系统的PWM控制电路的触发信号加载在推挽式驱动芯片的输入端;推挽式驱动芯片的上管的漏极连接正电压,源极连接稳定电阻和限制峰值电阻的一端,稳定电阻的另一端连接氮化镓功率器件的栅极,限制峰值电阻的另一端通过关断电阻连接推挽式驱动芯片的下管的源极,同时通过加速电容连接氮化镓功率器件的栅极;推挽式驱动芯片的下管及氮化镓功率器件的源极连接电源地;下拉电阻连接在氮化镓功率器件的栅极与源极之间。
搜索关键词: 氮化镓功率器件 驱动芯片 推挽式 峰值电阻 驱动系统 稳定电阻 源极连接 下管 源极 触发信号 电阻连接 加速电容 下拉电阻 一端连接 电源地 输入端 正电压 关断 加载 漏极 上管
【主权项】:
1.一种氮化镓功率器件驱动系统,包括PWM控制电路、推挽式驱动芯片,其特征在于还包括限制峰值电阻(Rgon)、稳定电阻(Rig)、加速电容(Cs)、关断电阻(Rgoff)、下拉电阻(Rpd);所述的PWM控制电路的触发信号加载在推挽式驱动芯片的输入端;推挽式驱动芯片的上管(M1)的漏极连接正电压VCD,源极连接稳定电阻(Rig)和限制峰值电阻(Rgon)的一端,稳定电阻(Rig)的另一端连接氮化镓功率器件的栅极,限制峰值电阻(Rgon)的另一端通过关断电阻(Rgoff)连接推挽式驱动芯片的下管(M2)的源极,同时通过加速电容(Cs)连接氮化镓功率器件的栅极;推挽式驱动芯片的下管(M2)及氮化镓功率器件的源极连接电源地;下拉电阻(Rpd)连接在氮化镓功率器件的栅极与源极之间。
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