[发明专利]一种减小刻蚀产物侧壁再淀积的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201910376586.4 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110071214B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 姜岩峰;王旭锋;于平平;梁海莲;张曙斌 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 林娟 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种减小刻蚀产物侧壁再淀积的刻蚀方法，属于半导体技术领域。所述方法刻蚀方法在刻蚀前淀积薄膜时先不淀积MTJ器件的上层金属，而是使用碳层作为刻蚀掩模，采用感应耦合等离子刻蚀技术进行刻蚀，刻蚀完成后对上表面做平坦化处理，再将上层金属淀积，用作MTJ器件的上部电极；避免了上层已刻蚀部分在后续刻蚀中产生颗粒再淀积到MgO侧壁，影响器件性能，使得刻蚀过程中对于磁材料的损伤降低至传统方法的一半以下，同时刻蚀过程中采用醇类和H |
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| 搜索关键词： | 一种 减小 刻蚀 产物 侧壁 再淀积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MTJ器件的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法在刻蚀前淀积薄膜时先不淀积MTJ器件的上层金属，而是使用碳层作为刻蚀掩模，采用感应耦合等离子刻蚀技术进行刻蚀，刻蚀完成后对上表面做平坦化处理，再将上层金属淀积，用作MTJ器件的上部电极；同时刻蚀过程中采用醇类和H2O的混合气体作为刻蚀气体。
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