[发明专利]陷光增效结构及其制备方法和太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201910371023.6 | 申请日: | 2019-05-06 |
公开(公告)号: | CN110085685B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 王海燕;杜大学;李明洁;王凤彦;徐朝鹏 | 申请(专利权)人: | 燕山大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人: | 吕纪涛 |
地址: | 066000 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供一种陷光增效结构及其制备方法和一种太阳能电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域。该陷光增效结构包括顺排碳纳米管膜和附着在顺排碳纳米管膜表面的二氧化钛膜或者银膜。二氧化钛膜可降低碳纳米管膜的光吸收,避免太阳光能量的损耗,使太阳能最大限度的被利用,而银膜中的银颗粒受到入射光的辐射后会激发出局域表面等离子体局域共振效应,使纵向入射的太阳光耦合成横向传播的光,延长了光子的传播长度;二氧化钛膜和银膜均使该陷光增效结构具有更好的陷光性能,且该陷光增效结构为纳米级尺寸,解决了现有技术中的陷光增效结构的陷光效果不明显,且厚度较大难以应用在超薄晶硅太阳能电池或者薄膜太阳能电池上的问题。 | ||
搜索关键词: | 增效 结构 及其 制备 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】:
1.一种陷光增效结构,其特征在于,包括顺排碳纳米管膜和附着在顺排碳纳米管膜单侧表面或双侧表面的增效膜;所述增效膜为二氧化钛膜或银膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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