[发明专利]有机薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910370968.6 | 申请日： | 2019-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN110098329B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 郭小军;黄钰坤;唐伟;韩磊 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 200030 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及有机电子器件技术领域，尤其涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法。所述有机薄膜晶体管，包括：衬底；第一栅极，位于所述衬底表面；第一栅绝缘层，位于所述衬底表面且覆盖所述第一栅极；源极，位于所述第一栅绝缘层表面；漏极，位于所述第一栅绝缘层表面；掺杂有机半导体层，至少覆盖所述源极、所述漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道区域；第二栅绝缘层，覆盖于所述掺杂有机半导体层表面；第二栅极，位于所述第二栅绝缘层表面。本发明在保证有机薄膜晶体管具备低接触电阻的同时，能够实现对阈值电压的调控。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；第一栅极，位于所述衬底表面；第一栅绝缘层，位于所述衬底表面且覆盖所述第一栅极；源极，位于所述第一栅绝缘层表面；漏极，位于所述第一栅绝缘层表面；掺杂有机半导体层，至少覆盖所述源极、所述漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的沟道区域；第二栅绝缘层，覆盖于所述掺杂有机半导体层表面；第二栅极，位于所述第二栅绝缘层表面；所述掺杂有机半导体层为均匀分布有掺杂剂的有机基质层；或者，所述掺杂有机半导体层为由相互叠置的一层掺杂剂层和一层有机基质层组成的有机复合层；所述有机薄膜晶体管的阈值电压能够通过施加至所述第一栅极上的电压调控到0V。
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