[发明专利]一种SnS2有效

专利信息
申请号: 201910357572.8 申请日: 2019-04-29
公开(公告)号: CN109999841B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 强涛涛;夏亚娟 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: B01J27/051 分类号: B01J27/051;B01J37/10;B01J37/34;C02F1/30;C02F101/22
代理公司: 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 代理人: 俞晓明
地址: 710021 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种SnS2/1T‑MoS2QDS复合光催化剂,包括含有S空位缺陷的SnS2纳米片以及负载在SnS2纳米片上的1T‑MoS2QDS,1T‑MoS2QDS与SnS2纳米片形成异质结,且1T‑MoS2QDS在复合光催化剂中的重量占比为1‑3%。本发明的催化剂有效地控制了所产生的S空位缺陷的数量,产生的S空位能有效地调节SnS2的能带结构,1T‑MoS2QDS与SnS2纳米片形成异质结,通过水热反应巩固了两者的界面。本发明的催化剂能促进光生电子‑空穴对的分离,降低光生电子‑空穴对的复合速率,展现出更高的催化活性,具备广泛的应用前景。
搜索关键词: 一种 sns base sub
【主权项】:
1.一种SnS2/1T‑MoS2QDS复合光催化剂,其特征在于,包括含有S空位缺陷的SnS2纳米片以及负载在所述SnS2纳米片上的1T‑MoS2QDS,所述1T‑MoS2QDS与所述SnS2纳米片形成异质结,且所述1T‑MoS2QDS在所述复合光催化剂中的重量占比为1‑3%。
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