[发明专利]智能功率模块和空调器在审
| 申请号： | 201910356450.7 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN109921675A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 李媛媛;冯宇翔 | 申请（专利权）人： | 广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387;H02M1/42;H02H7/122;F24F11/88 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张润 |
| 地址： | 528311 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种智能功率模块和空调器，其中，智能功率模块包括：基板；设置在基板之上的控制芯片；设置在基板之上的逆变电路，逆变电路包括三组逆变模块，每组逆变模块包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，第一GaN HEMT管的漏极与基板上的高压输入端相连，第一GaN HEMT管的源极与第二GaN HEMT管的漏极相连，第二GaN HEMT管的源极与基板上的低电压参考端相连，第一GaN HEMT管的栅极和第二GaN HEMT管的栅极均与控制芯片相连，从而，通过在逆变电路中使用GaN HEMT管，不需外加并联二极管，另外，还由于GaN HEMT管的栅极电荷远少于IGBT管，所以其栅极不用连接电阻进行保护，进而可简化电路。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 智能功率模块 逆变电路 控制芯片 逆变模块 空调器 漏极 源极 并联二极管 高压输入端 连接电阻 栅极电荷 参考端 低电压 电路 | ||
【主权项】：
1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：基板；设置在所述基板之上的控制芯片；设置在所述基板之上的逆变电路，所述逆变电路包括三组逆变模块，每组逆变模块包括第一GaN HEMT管和第二GaN HEMT管，其中，所述第一GaN HEMT管的漏极与所述基板上的高压输入端相连，所述第一GaN HEMT管的源极与所述第二GaN HEMT管的漏极相连，所述第二GaN HEMT管的源极与所述基板上的低电压参考端相连，所述第一GaN HEMT管的栅极和第二GaN HEMT管的栅极均与所述控制芯片相连。
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