[发明专利]温度梯度化磁热材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910355109.X 申请日: 2019-04-29
公开(公告)号: CN109913816B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 郭振刚;李慧;王誉洪;王森 申请(专利权)人: 天津城建大学
主分类号: C23C14/18 分类号: C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58;C22C30/00
代理公司: 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 代理人: 杨欢
地址: 300000*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明属于磁制冷领域,具体涉及一种温度梯度化磁热材料及其制备方法。包括Ni50Mn37Sn13合金薄膜层以及Ni50Mn35In15合金薄膜层;所述的Ni50Mn37Sn13合金薄膜层的相变温度为295‑305K;所述的Ni50Mn35In15合金薄膜层的相变温度为301‑310K;所述的Ni50Mn37Sn13合金薄膜层与Ni50Mn35In15合金薄膜层的厚度比为1:3‑3:1。本发明通过对磁热材料进行梯度化设计和制备,有利于拓展现有磁热材料的工作温区,提高材料的磁热效应,并建立梯度磁热材料的设计原则和调控机制,推动梯度磁热材料向应用方面发展。
搜索关键词: 温度梯度 化磁热 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种温度梯度化磁热材料,其特征在于,包括Ni50Mn37Sn13合金薄膜层以及Ni50Mn35In15合金薄膜层;所述的Ni50Mn37Sn13合金薄膜层的相变温度为295‑305K;所述的Ni50Mn35In15合金薄膜层的相变温度为301‑310K;所述的Ni50Mn37Sn13合金薄膜层与Ni50Mn35In15合金薄膜层的厚度比为1:3‑3:1。
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