[发明专利]雪崩光电二极管的反向偏压产生方法有效
申请号: | 201910353410.7 | 申请日: | 2019-04-29 |
公开(公告)号: | CN110031095B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 戴金;徐生福 | 申请(专利权)人: | 安徽安匠信息科技有限公司 |
主分类号: | G01J1/44 | 分类号: | G01J1/44 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 周锟 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市弋江区高新技*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种雪崩光电二极管的反向偏压产生方法,该方法包括:使用微控制器控制数模转换芯片产生一个高精度的低电压信号,将该低电压信号通过由运算放大器组成的电压跟随器产生稳定电压并直接送给DC/DC转换芯片,最终输出APD偏置电压;在DC/DC转换芯片周围利用半导体制冷器维持稳定温度,同时,通过热敏电阻实时监控半导体制冷器与模块接触面的温度并反馈给微控制器。该雪崩光电二极管的反向偏压产生方法的电路更加简单,电路稳定性更好,简单实用;同时,既提高了输出偏压的稳定性,又提高了反向偏置电压的温度稳定性。 | ||
搜索关键词: | 雪崩 光电二极管 反向 偏压 产生 方法 | ||
【主权项】:
1.一种雪崩光电二极管的反向偏压产生方法,其特征在于,该雪崩光电二极管的反向偏压产生方法包括:使用微控制器控制数模转换芯片产生一个高精度的低电压信号,将该低电压信号通过由运算放大器组成的电压跟随器产生稳定电压并直接送给DC/DC转换芯片,最终输出APD偏置电压;在DC/DC转换芯片周围利用半导体制冷器维持稳定温度,同时,通过热敏电阻实时监控半导体制冷器与模块接触面的温度并反馈给微控制器。
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