[发明专利]一种利用原子层沉积一步法可控制备不同氧氮含量的GaON薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种利用原子层沉积一步法可控制备不同氧氮含量的GaON薄膜的方法。本发明利用PEALD制备技术，通过使用前驱体三甲基镓作为镓源，NH₃与O₂等离子体作为氮源和氧源。将反应气体按比例同时通入反应腔体，通过调控NH₃与O₂气体的流量比，从而在衬底上可控制备一定氧氮含量的高质量GaON薄膜。本发明方法制备的GaON薄膜可以达到厚度原子量级可控和大面积的均匀性。本发明制备的GaON薄膜，由于氧氮含量可控，带隙可调，具有良好光电性能，在传感器、光电探测、微电子器件、光电催化和能源等领域具有重要的科学价值和广泛的应用前景。

主权项

1.一种利用原子层沉积一步法可控制备不同氧氮含量的GaON薄膜的方法，其特征在于，采用等离子体增强的原子层沉积PEALD方法制备GaON薄膜，镓源、氧源和氮源分别是三甲基镓TMG、O₂和NH₃；将NH₃与O₂同时通入反应腔室，调节电源功率使两种气体同时产生等离子体，然后通过改变通入腔体的NH₃与O₂的流量比，调配反应腔室生长温度以及TMG通入反应腔室的时间，从而实现对GaON薄膜中氧氮含量和薄膜性能的调控。