[发明专利]利用原子层沉积制备GaON薄膜包覆微结构材料的方法

摘要

本发明公开了一种利用原子层沉积制备GaON薄膜包覆微结构材料的方法。本发明利用等离子体增强原子层沉积（PEALD）制备技术，通过使用前驱体三甲基镓作为镓源，NH₃与O₂等离子体作为氮源和氧源。将反应气体按照一定比例同时通入原子层沉积（ALD）反应腔体，通过控制原子层沉积的反应循环次数，在微结构材料表面均匀包覆一层预定厚度的GaON薄膜。本发明公开的制备GaON薄膜包覆纳米微结构的方法，包覆厚度和包覆层薄膜的含量都可通过ALD工艺参数精确可调，操作简单，包覆后提升纳米微结构的光电性能效果显著。该方法在传感器、光电探测、微电子器件、光电催化和能源等领域具有重要的科学价值和广泛的应用前景。

主权项

1.一种利用原子层沉积制备GaON薄膜包覆纳米微结构材料的方法，其特征在于，采用等离子体增强的原子层沉积PEALD方法，以三甲基镓TMG、O₂和NH₃分别为镓源、氧源和氮源，通过调控反应气体流量比例、前驱体脉冲时间、等离子体的功率和ALD循环次数，在微结构材料表面均匀生长GaON薄膜；其中：所述微结构材料包括纳米线、纳米棒、纳米片、纳米树、纳米球、微/介孔材料、微米微结构和多孔材料。