[发明专利]一种芯片的加工方法

摘要

本申请提供了一种芯片的加工方法，涉及半导体器件处理技术领域。本申请实施例提供的芯片加工方法，通过对印制电路板上的芯片进行调平、初次减薄和二次减薄等步骤后，可以将芯片的厚度减薄至满足地面单粒子效应测试的厚度，通过这样的物理减薄，避免先减薄后焊接的操作流程中，重新焊接芯片带来的芯片变形等情况，同时避免了化学减薄过程中很容易出现的过腐蚀或腐蚀不足的情况。即使使用能量交底的低能重离子，也可以对本申请中减薄后的芯片进行单粒子效应测试，降低了单粒子效应测试中对重离子加速器的能量要求。

主权项

1.一种芯片的加工方法，其特征在于，包括：获取芯片的厚度；对安装有所述芯片的印制电路板进行平整化处理；测量所述芯片的长度和宽度，确定对所述芯片进行减薄处理的区域；将所述芯片上表面的中心点作为零点，测量所述芯片的多个边缘点与所述零点之间的第一高度差，并测量所述印制电路板的多个测试点与所述零点之间的第二高度差；根据所述芯片的厚度、第一高度差及第二高度差，确定对所述芯片进行研磨的第一减薄厚度；使用减薄设备对所述芯片进行研磨，使所述芯片的厚度减少所述第一减薄厚度；在完成对所述芯片进行第一减薄厚度的研磨后，对所述印制电路板进行调平，以使所述芯片的表面与所述减薄设备的研磨平面相匹配；重新测量调平后的所述多个边缘点与所述零点之间的第一高度差，以及所述多个测试点与所述零点之间的第二高度差；根据重新测量得到的第一高度差和第二高度差，确定对调平后的芯片进行研磨的第二减薄厚度；使用所述减薄设备采用所述第二减薄厚度对所述芯片进行研磨，使所述芯片的厚度减少第二减薄厚度；检测减薄后的所述芯片的厚度是否满足设定芯片厚度，若不满足，重复对调平后的所述芯片进行研磨，直到所述芯片的厚度满足设定芯片厚度。