[发明专利]一种单载流子光电探测器

摘要

本发明公开了一种单载流子光电探测器及其制备方法。所述光电探测器包括半导体主体、阴极及阳极，阴极及阳极分别与阴极接触层、阳极接触层相接触，且该两个金属电极的表面与共面波导电极连接；半导体主体的结构依次包括InP衬底、阴极接触层、集电层、InGaAs/GaAsSb多量子阱吸收层、电子阻挡层、阳极接触层。制备方法为：在InP衬底上依次生长出阴极接触层等制得半导体主体；然后依次制备阳极、第一层台阶、阴极、第二台阶、共面波导电极。本发明可以工作于2μm波段，并且由于采用了单载流子传输的结构，同时还具有低暗电流、高响应带宽的特点，能够满足2μm波段光通信系统的需求。

主权项

1.一种单载流子光电探测器，其特征在于，包括半导体主体、阴极(2)及阳极(6)，阴极(2)及阳极(6)分别与阴极接触层(b)、阳极接触层(f)相接触，且该两个金属电极的表面与共面波导电极(5)连接，用于将响应的电信号引出与探测器、后级电路连接；半导体主体的结构依次包括InP衬底(a)、阴极接触层(b)、集电层(c)、InGaAs/GaAsSb多量子阱吸收层(d)、电子阻挡层(e)、阳极接触层(f)；其中，阴极接触层(b)用于使半导体主体)与阴极(2)之间形成欧姆接触，InGaAs/GaAsSb多量子阱吸收层(d)用于吸收光子，电子阻挡层(e)用于阻挡电子向阳极(6)方向扩散，阳极接触层(f)用于使半导体主体与阳极(6)之间形成欧姆接触。