[发明专利]一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910342984.4 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN109873297B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 张宇;魏斌 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 赵龙群 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaN基垂直腔面发射激光器及其制备方法，属于光电子领域，包括导电衬底，导电衬底上制作有金属层，金属层上窗口处制作有介质DBR层，介质DBR层上制作有透明导电层，透明导电层上依次制作有p型半导体层、多量子阱有源层和n型半导体层，n型半导体层上表面生长制备有多孔导电DBR层，多孔导电DBR层上表面制作有绝缘介质层，绝缘介质层覆盖多孔导电DBR层、n型半导体层、多量子阱有源层、p型半导体层以及透明导电层，绝缘介质层上表面制作有n电极。本发明通过金属键合技术将外延结构转移到导电性较好的衬底上，并采用电化学腐蚀形成多孔GaN导电DBR结构，增加器件可工作的电流密度，提高光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 垂直 发射 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括导电衬底，所述导电衬底上表面制作有金属层，金属层的上表面中间设置有窗口，所述金属层上表面中间部分窗口处制作有介质DBR层，所述介质DBR层上表面制作有透明导电层，所述透明导电层覆盖介质DBR层和金属层；所述透明导电层上表面依次制作有p型半导体层、多量子阱有源层和n型半导体层，所述n型半导体层上表面生长制备有多孔导电DBR层，所述多孔导电DBR层上表面制作有绝缘介质层，且绝缘介质层的中间形成电流窗口，所述绝缘介质层覆盖多孔导电DBR层、n型半导体层、多量子阱有源层、p型半导体层以及透明导电层，所述绝缘介质层上表面制作有n电极，所述n电极覆盖部分多孔导电DBR层和部分绝缘介质层。
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