[发明专利]一种超低损耗大有效面积单模光纤设计及其制造方法有效
| 申请号： | 201910340650.3 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110244402B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 成煜;邓洪昌;徐荣辉;苑立波 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G02B6/036 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种超低损耗大有效面积单模光纤设计及其制造方法，光纤剖面由里到外分别包含高纯二氧化硅少量掺Cl和K芯层，F、Ge共掺包层、高掺F下凹包层和纯二氧化硅包层。这种光纤采用等离子体化学气相沉积方法制造，是因为等离子体化学气相沉积方法非常适合制造复杂剖面结构的光纤。本发明的光纤截止波长控制在1520nm以下，但是光纤的有效面积可达145～155μm |
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| 搜索关键词： | 一种 损耗 有效面积 单模 光纤 设计 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超低损耗大有效面积单模光纤设计及其制造方法，其光纤的纤芯半径为5.8～6.8μm，芯层相对折射率差为‑0.05％～+0.05％，芯层掺杂为Cl和K，第一包层相对折射率差为‑0.25％～‑0.22％，第一包层掺杂为Ge、F共掺杂，半径r2为11～12μm；第二包层相对折射率差为‑0.19％～‑0.18％，第二包层掺杂为Ge、F共掺杂，半径r3为29～30μm；第三包层相对折射率差为‑0.29％～‑0.28％，第三包层掺杂为F掺杂，半径r4为41～42μm；最外层为纯二氧化硅。
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