[发明专利]一维硫碘化锑半导体纳米线光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910333413.4 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110156077A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 李京波;杨淮;刘柳;霍能杰 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C01G30/00 | 分类号： | C01G30/00;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/09;H01L31/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 仵乐娟 |
| 地址： | 510631 广东省广州市天河区中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一维硫碘化锑半导体纳米线、光电探测器及其制备方法，具体的，以碘化锑和硫化锑粉末为原料，通过化学气相输运的方法制备大量一维硫碘化锑纳米线，并制备了高性能光电探测器，其光电探测器从下到上依次为：重掺杂硅、薄层二氧化硅绝缘层、两侧金属电极以及位于两侧金属电极之间的一维硫碘化锑半导体纳米线。本发明获得的一维光电探测器具有高响应度，高开关比和高探测率等特点。由于一维纳米线的本身结构的各向异性，可将探测器拓展到偏振光探测。 | ||
| 搜索关键词： | 光电探测器 化锑 硫碘 制备 半导体纳米线 金属电极 偏振光 二氧化硅绝缘层 一维纳米线 碘化锑 高响应 开关比 硫化锑 纳米线 探测率 重掺杂 探测器 薄层 输运 探测 拓展 | ||
【主权项】：
1.一维硫碘化锑半导体纳米线的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：将碘化锑和硫化锑化合物粉末进行配比并混合均匀；将混合均匀后的粉末真空封入一容器中；将所述容器置于双温区中，通过化学气相输运法生长，得到一维硫碘化锑半导体纳米线。
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