[发明专利]一种晶片清洗方法

摘要

本发明提供了一种晶片清洗方法，属于电子材料清洗领域。本发明首先采用碱性清洗液对晶片进行超声波清洗，去离子水冲洗以及去离子水超声波清洗从而有效清洗晶片表面的有机物、金属氧化物、微粒等，整个清洗过程清洗效果好、清洗效率高、清洗成本低，适于工业上广泛应用；并且在清洗过程中，实时检测清洗各步骤中清洗液浓度、温度、电阻等参数变化，保证清洗过程中各参数在最优范围内，保证了清洗的效果。

主权项

1.一种晶片清洗方法，其特征在于，应用于晶片清洗设备，所述晶片清洗设备包括清洗架、晶片夹具、移动装置、第一清洗池、第二清洗池、干燥装置，所述干燥装备包括甩干机和烘烤箱，所述方法包括以下步骤：S1、当检测到感应区域有所述清洗架时，所述移动装置移动所述清洗架至所述第一清洗池，所述清洗架装载装有晶片的晶片夹具；S2、以预设比例在所述第一清洗池中配置第一溶液和第二溶液的混合溶液，实时检测所述混合溶液是否符合所述预设比例和所述晶片是否彻底浸入所述混合溶液中，若所述混合溶液符合所述预设比例且所述晶片彻底浸入所述混合溶液中，对晶片进行超声波清洗；S3、当检测到所述步骤2清洗结束后，所述移动装置将所述清洗架移动至所述第二清洗池中；S4、在所述第二清洗池中对所述晶片通过第二溶液进行冲洗和超声波清洗；S5、当检测到所述步骤4清洗结束后，所述移动装置将所述清洗架移动至所述干燥装置；S6、所述干燥装置对所述晶片进行干燥处理。