[发明专利]一种高电子迁移率晶体管、其制备方法及电子装置在审
| 申请号： | 201910323441.8 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN111834439A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 陈道坤;史波;曾丹;陈兆同;何昌 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 519070 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子技术领域，公开一种高电子迁移率晶体管、其制备方法及电子装置，其中，高电子迁移率晶体管包括：依次设置的衬底、缓冲层和GaN沟道层，GaN沟道层包括栅极区和位于栅极区周围的非栅区域；AlGaN栅下势垒层，形成于GaN沟道层的栅极区背离缓冲层的一侧；栅电极，形成于AlGaN栅下势垒层背离GaN沟道层的侧面；AlGaN势垒层，形成于GaN沟道层的非栅区域，其中AlGaN势垒层表面形成源极和漏极；其中，AlGaN栅下势垒层的铝含量低于AlGaN势垒层的铝含量，和/或，AlGaN栅下势垒层的厚度小于AlGaN势垒层的厚度。上述高电子迁移率晶体管，可以用于缓解其阈值电压低，易误开通的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
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