[发明专利]一种蒽类化合物及其制法和应用在审

专利信息
申请号: 201910323288.9 申请日: 2019-04-22
公开(公告)号: CN109879793A 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 汪康;王士凯;王进政;王钊;赵贺;陈明;王铁;马晓宇 申请(专利权)人: 吉林奥来德光电材料股份有限公司
主分类号: C07D209/80 分类号: C07D209/80;C07D209/88;C07D401/04;C07D401/10;C07D401/14;C07D403/04;C07D403/10;C07D403/14;C07D405/04;C07D405/10;C07D409/04;C07D411/04;C07
代理公司: 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 代理人: 周蕾
地址: 130012 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及一种蒽类化合物及其制法和应用,化合物结构式如式1所示:本发明化合物的结构使得电子和空穴在发光层的分布更加平衡,在恰当的HOMO能级下,提升了空穴注入和传输性能;在合适的LUMO能级下,又起到了电子阻挡的作用,提升激子在发光层中的复合效率;作为OLED发光器件的发光功能层材料使用时,蒽并咔唑结构搭配本发明范围内的支链可有效提高激子利用率和高荧光辐射效率,降低高电流密度下的效率滚降,降低器件电压,提高器件的电流效率和寿命。本发明化合物在OLED器件应用时,通过器件结构优化,可保持高的膜层稳定性,可有效提升OLED器件的光电性能以及OLED器件的寿命。本发明所述化合物在OLED发光器件中具有良好的应用效果和产业化前景。
搜索关键词: 本发明化合物 空穴 蒽类化合物 发光层 制法 应用 化合物结构式 发光功能层 激子利用率 膜层稳定性 材料使用 传输性能 电流效率 辐射效率 复合效率 光电性能 降低器件 器件结构 应用效果 咔唑结构 产业化 高荧光 激子 搭配 阻挡 平衡 优化
【主权项】:
1.一种蒽类化合物,其特征在于,其结构式如式1所示:其中:Ra、Rb和Rc各自独立地表示:氢、氢的同位素、卤素、氰基、硝基、羟基、氨基、磺酸基、磺酰基、磷酸基、磷酰基、取代或非取代的硅基、硼烷基、磷基、取代或非取代的C1~C60的烷基、C3~C60的环烷基、烷氧基、烷胺基、烷巯基、取代或非取代的C2~C60的烯基、C3~C60的环烯基、取代或非取代的C3~C60的炔基、C3~C60的环炔基、取代或非取代的C6~C60芳基或C6~C60的杂环基;m为0~3的整数;n和k均为0~4的整数;R1为取代或非取代的C1~C30烷基、取代或非取代的C6~C30芳基或取代或非取代的C1~C30杂芳基;或与相邻取代基连接形成单环或多环C3‑C30脂环族环或芳香族环,其碳原子可置换为至少一个选自氮、氧或硫的杂原子;R2和R3各自独立地表示取代或非取代的C1~C60的烷基、C3~C60的环烷基、取代或非取代的C2~C60的烯基、C3~C60的环烯基、取代或非取代的C3~C60的炔基、C3~C60的环炔基、取代或非取代的C6~C60芳基或C6~C60的杂环基。
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