[发明专利]一种基于慢光效应的新型辐射测量芯片

摘要

本发明公开了一种基于慢光效应的新型辐射测量芯片。所述的芯片分为两部分，一部分为慢光吸波结构，分为上下两层，上层由周期性排布的单元组成，周期性单元结构由不同尺寸的方形金属和吸波介质在高度方向交替叠加形成的上窄下宽的多层金字塔结构组成，每个周期性单元结构相同，下层为金属基底，另一部分为红外成像仪。本发明采用一种更简单廉价的芯片，可以在大角度范围内快速测量手机等辐射体的辐射情况，同时改变结构尺寸可以很方便的使其工作在不同波段，大大提高了手机辐射测试的效率和成本。

主权项

1.一种基于慢光效应的新型辐射测量芯片，其特征在于，所述的芯片分为两部分，一部分为慢光吸波结构，分为上下两层，上层由周期性排布的单元组成，周期为p(p＝2‑4mm),周期性单元结构由不同尺寸的方形金属和吸波介质在z方向(高度方向)交替叠加形成的上窄下宽的多层金字塔结构组成，每个周期性单元结构相同，其中最底层结构边长为a₁(3mm≤a₁≤p)，最顶层结构边长为a₂(a₂≤2.35mm)，方形金属厚度为t_m(t_m≤0.035mm)，吸波介质层厚度为t_d(t_d≥0.2mm)，金字塔层数为n(n≥10)，其中慢光吸波结构的慢光截止频率在中心频率(28GHz)附近，使得中心频率附近的电磁波分别被强烈局域在金字塔结构的每一层；所述慢光吸波结构的下层为金属基底，厚度为t_sub(t_sub≥0.2mm)，另一部分为红外成像仪。